TIP127.Транзистор

Кремниевый, составной биполярный p-n-p транзистор. (PNP Epitaxial Darlington Transistor .TO 220) Имеет высокий коэффициент усиления в сочетании с очень низким напряжением насыщения. Выполнен в корпусе  TO-220. Основное применение в ключевых и усилительных схемах

 Технические характеристики  :

Максимальное напряжение между коллектором и базой VCBO (Uкб max) = — 100 В;

Предельно допустимое напряжение коллектор-эмиттер VCEO (Uкэ max) = -100 В;

Наибольшее возможное напряжение между эмиттером и базой VEBO (Uэб max) = -5 В;

Максимально допустимый постоянный ток коллектора IC (Iк max) = -5 А;

Наибольший допустимый кратковременный ток коллектора ICP (Iк пик ) = -8 А;

Предельно допустимый постоянный ток базы IВ (IБ max)

Максимальная рассеиваемая мощность коллектора РС (Рк max) = 65 Вт;

Диапазон рабочих температур Tstg = -65 … 150 оС;

Максимальная температура перехода Tj = 150 оС.