Транзисторы отечественные

 Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарные  p-n-p . Предназначены для использования в усилителях мощности высокой частоты. Пластмассовый корпус КТ-27 (ТО-126). Масса не более 1 гр.

Основные электрические параметры при Т корп = 25 +/-10 град. С

Статический коэффициент передачи тока (Ukэ = 30В, Iэ=30 мА)   не менее 25

Граничное напряжение при  Ik =10 мА                                                          300В

 Данная техническая информация является ознакомительной и не может заменить собой учтенный экземпляр технических условий или этикетку на изделие.

 Транзистор мощный кремниевый эпитаксиально-планарный n-p-n составной .Предназначен для работы в схемах преобразователей напряжения и других схемах аппаратуры широкого применения.Изготавливается в пластмассовом корпусе. Масса не более 2,5 гр.

Основные электрические параметры при Т корп = 25 +/-10 град. С

Статический коэффициент передачи тока (Uke = 3В, Ik=3А)  не менее 1000

Обратный ток коллектора ,мА  не более  0,2

Граничное напряжение не менее          100В

Данная техническая информация является ознакомительной и не может заменить собой учтенный экземпляр технических условий или этикетку на изделие.

  Транзистор.Кремниевый эпитаксиально-планарный составной биполярный (Транзисторы Дарлингтона). Предназначены для использования в преобразователях напряжения, а также в блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения p-n-p в пластмассовом корпусес КТ-28 (ТО-220). 

Основные электрические параметры при Т корп = 25 +/-10 град. С

Статический коэффициент передачи тока (Ukв =3 В, Iэ=0,5А)   не менее 1000

Обратный ток коллектора (U кв=100В) ,мА  не более      0,2

Граничное напряжение не менее          100В

Данная техническая информация является ознакомительной и не может заменить собой учтенный экземпляр технических условий или этикетку на изделие.

Комплементарные мощные транзисторы  КТ8101А,Б (n-p-n)  КТ8102А,Б (p-n-p)  изготавливают по эпитаксиально-планарной технологии. Они предназначены для работы в оконечных каскадах усилителей звуковой частоты в преобразователях напряжения и в другой электронной аппаратуре.Транзисторы  рассчитаны  для эксплуатации при температуре от -60 дюо +125 градусов.Конструктивно выполнены в пластмассовом корпусе КТ-43 (ТО-218). Масса прибора не более 5 г.

Электрические параметры :

Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 200 В.Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 160 В.Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 16000 мА.Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) (150) Вт.Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером =>20.Обратный ток коллектора <=2000 мкА.Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером =>10 МГц.Коэффициент шума биполярного транзистора <2 дБ

Данная техническая информация является ознакомительной и не может заменить собой учтенный экземпляр технических условий или этикетку на изделие.

 КТ8101А (n-p-n)  Транзистор комплементарный мощный изготавливают по эпитаксиально-планарной технологии. Они предназначены для работы в оконечных каскадах усилителей звуковой частоты в преобразователях напряжения и в другой электронной аппаратуре.

Транзисторы  рассчитаны  для эксплуатации при температуре от -60 до +125 градусов.Конструктивно выполнены в пластмассовом корпусе КТ-43 (ТО-218). Масса прибора не более 5 г.

Электрические параметры :

Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 200 В.Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 160 В.Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 16000 мА.Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) (150) Вт.Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером =>20.Обратный ток коллектора <=2000 мкА.Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером =>10 МГц.Коэффициент шума биполярного транзистора <2 дБ

Данная техническая информация является ознакомительной и не может заменить собой учтенный экземпляр технических условий или этикетку на изделие.

 Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарные составной биполярный (транзисторы Дарлингтона). Предназначены для использования в блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.Комплиментарная пара – КТ972А. Пластмассовый корпус КТ-89 (DPAK)

Основные электрические параметры при Т корп = 25 +/-10 град. С

Статический коэффициент передачи тока (Ukв = 3В, Iэ=1А)   не менее 750 не более 5000

Обратный ток коллектора (U кэ=60В) ,мА  не более      1

 Данная техническая информация является ознакомительной и не может заменить собой учтенный экземпляр технических условий или этикетку на изделие.

Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарные составной биполярный (транзисторы Дарлингтона). Предназначены для использования в блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.Комплиментарная пара – КТ972А. Пластмассовый корпус КТ-27 (ТО-126)

Основные электрические параметры при Т корп = 25 +/-10 град. С

Статический коэффициент передачи тока (Ukв = 3В, Iэ=1А)   не менее 750 не более 5000

Обратный ток коллектора (U кэ=60В) ,мА  не более      1

 Данная техническая информация является ознакомительной и не может заменить собой учтенный экземпляр технических условий или этикетку на изделие.

КТ 815Г (n-p-n)Т Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный n-p-n в пластмассовом корпусе. Предназначен для применения в ключевых и линейных схемах в узлах и блоках аппаратуры широкого применения. Масса нее более 1 гр.

Основные электрические параметры при Т корп = 25 +/-10 град. С

Статический коэффициент передачи тока (Ukв = 2В, Iэ=0,15А)   не менее 30 не более 275

Обратный ток коллектора (U кв=50В) ,мкА  не более      50

Граничное напряжение не менее          85В

Данная техническая информация является ознакомительной и не может заменить собой учтенный экземпляр технических условий или этикетку на изделие.ранзистор кремниевый эпитаксиально-планарный

 Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный p-n-p в пластмассовом корпусе. Предназначен для применения в ключевых и линейных схемах в узлах и блоках аппаратуры широкого применения. Масса нее более 1 гр.

Основные электрические параметры при Т корп = 25 +/-10 град. С

Статический коэффициент передачи тока (Ukв = 2В, Iэ=0,15А)   не менее 30 не более 275

Обратный ток коллектора (U кв=50В) ,мкА  не более      50

Граничное напряжение не менее          85В

Данная техническая информация является ознакомительной и не может заменить собой учтенный экземпляр технических условий или этикетку на изделие.