Оптопары импортные

Фильтр
Цена (руб.):
Найдено: 0 товаров
Показать Очистить фильтр
Товар
Цена
Кол-во
Купить
Скидка 20% при покупке от
Артикул: нет
Оптопара высокоскоростная с логическими уровнями на выходе.
Основные параметры:
Максимальное выходное напряжение 7В
Напряжение изоляции 2,5 кВ
Время включения/выключения 0,5 мкс
Корпус DIP8.
Упаковка туба.
24
Количество: 850
Артикул: нет
Основные технические характеристики: Пробивное напряжение коллектор –эмиттер 70В. Ток коллектора 60 мА. Напряжение изоляции 5 кВ. Применяется в устройствах гальванической развязки между входом и выходом электронных устройств. Канал гальванической развязки состоит из инфракрасного светодиода и фототранзистора. Корпус DIP6.
С учётом
НДС
Тип корпуса
dip-6
Все параметры
12
Количество: 15
Артикул: нет
Основные технические характеристики: Пробивное напряжение коллектор –эмиттер 70В. Ток коллектора 60 мА. Напряжение изоляции 5 кВ. Применяется в устройствах гальванической развязки между входом и выходом электронных устройств. Канал гальванической развязки состоит из инфракрасного светодиода и фототранзистора. Корпус DIP6.
С учётом
НДС
Тип корпуса
dip-6
Все параметры
47
Количество: 99
Артикул: нет
Основные технические характеристики: Ток коллектора 50 мА. Напряжение изоляции 5 кВ..Применяется в устройствах гальванической развязки между входом и выходом электронных устройств. Канал гальванической развязки состоит из инфракрасного светодиода и фототранзистора. Корпус DIP8.
С учётом
НДС
Тип корпуса
SO-8
Все параметры
32
Количество: 40
Артикул: нет
Основные технические характеристики: Максимальное напряжение коллектор –эмиттер 80В. Ток коллектора 50 мА. Напряжение изоляции 6 кВ. Применяется в устройствах гальванической развязки между входом и выходом электронных устройств. Канал гальванической развязки состоит из инфракрасного светодиода и фототранзистора. Корпус DIP4.
С учётом
НДС
Тип корпуса
smd-4
Все параметры
32.31
Количество: 50
Артикул: нет
Основные технические характеристики: Максимальное напряжение коллектор –эмиттер 55В. Ток коллектора 60 мА. Напряжение изоляции 2,5 кВ..Применяется в устройствах гальванической развязки между входом и выходом электронных устройств. Канал гальванической развязки состоит из инфракрасного светодиода и фототранзистора. Корпус DIP8.
С учётом
НДС
Тип корпуса
DIP-8
Все параметры
32.31
Количество: 150
Артикул: нет
Основные технические характеристики: Максимальное напряжение коллектор –эмиттер 55В. Ток коллектора 50 мА. Напряжение изоляции 5 кВ..Применяется в устройствах гальванической развязки между входом и выходом электронных устройств. Канал гальванической развязки состоит из инфракрасного светодиода и фототранзистора. Корпус DIP8.
С учётом
НДС
Тип корпуса
DIP-8
Все параметры
56.25
Количество: 130
Артикул: нет
Основные технические характеристики: Максимальное напряжение коллектор –эмиттер 55В. Ток коллектора 50 мА. Напряжение изоляции 5 кВ..Применяется в устройствах гальванической развязки между входом и выходом электронных устройств. Канал гальванической развязки состоит из инфракрасного светодиода и фототранзистора. Корпус DIP8.
С учётом
НДС
Тип корпуса
DIP-8
Все параметры
86
Количество: 30
Артикул: нет
TLP3526 (TOSHIBA) фото симистор пластмассовом DIP корпусе . Назначение выводов:
2 : Anode 3 : Cathode 4,5,6,7 : N.C. 9,13 : Triac T2 11 : Triac T1 15 : Triac gate.

Напряжение изоляции ( Isolation voltage):  Vrms(min.)                                             2500 В
С учётом
НДС
Тип корпуса
dip
Все параметры
127.68
Количество: 190
Артикул: нет
Основные технические характеристики: Максимальное напряжение коллектор –эмиттер 55В. Максимальный входной ток 20 мА. Постоянное прямое входное напряжение 1,3В.Применяется в устройствах гальванической развязки между входом и выходом электронных устройств. Канал гальванической развязки состоит из инфракрасного светодиода и фототранзистора. Корпус DIP4.
С учётом
НДС
Тип корпуса
dip-4
Все параметры
45
Количество: 97
Артикул: нет
Оптически связаные изоляторы, инфракрасных светодиодов с арсенида галлия и датчик на основе кремниевого составного фототранзистора
Входные параметры : Обратное напряжение 3В.Прямой ток 60мА.Рассеиваемая мощность 100мВт.
Выходные параметры : Коллектор-эмиттер напряжение пробоя 30В.База-эмиттер напряжение пробоя 8В. Коллектор –база напряжение пробоя 50В.Эмиттер-коллектор напряжение пробоя 5В. Ток коллектора 100 мА.
С учётом
НДС
Тип корпуса
dip-6
Все параметры
23
Количество: 50
Артикул: нет
 Оптопара с симисторным выходом 600 В, переключение при переходе через ноль .Корпус - [DIP-6]
 Оптосимистор предназначен для оптической гальванической развязки (изоляции) низковольтной управляющей части схемы и силового тиристорного ключа.
Максимальное напряжение в закрытом состоянии 600 В.
 Диапазон рабочих температур: от -40 до +100 °C.
С учётом
НДС
Тип корпуса
dip-6
Все параметры
32
Количество: 30