Рейтинг:
Артикул: нет

IRFBG30PBF МОП-транзистор

Количество: 50
N-Channel MOSFET, 600V to 1000V
45.00
Количество: 50
Купить в 1 клик
Поделиться:

 ТЕХНИЧЕСКИЕ  ХАРАКТЕРИСТИКИ

Вид монтажа:    монтаж в отверстие на плате
Тип корпуса             TO-220AB-3    
Полярность транзистора:    N-канал
Количество каналов:    1  
Vds - напряжение пробоя сток-исток:    1 кВ    
Id - непрерывный ток утечки:    3.1 A    
Rds Вкл - сопротивление сток-исток:    5 Ohms    
Vgs - напряжение затвор-исток:    - 20 В, + 20 В    
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток :    2 В    
 Минимальная рабочая температура:    - 55 C    
Максимальная рабочая температура:    + 150 C    
Pd – рассеиваемая  мощность    125 Вт    
Упаковка:    Tube    
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.:    2.1 S    
Время спада:    29 ns    
Время нарастания:    25 ns    
Типичное время задержки выключения:    89 ns    
Типичное время задержки при включении:    12 ns    
Вес изделия:    6 g

Авторизуйтесь, чтобы оставить комментарий
Если Вы уже зарегистрированы на нашем сайте, но забыли пароль или Вам не пришло письмо подтверждения, воспользуйтесь формой восстановления пароля.