TIP122. Транзистор n-p-n.

  TIP122 кремниевый, составной биполярный n-p-n транзистор, изготовленный по эпитаксиально-планарной технологии с применяем схемы Дарлингтона Имеет высокий коэффициент усиления в сочетании с очень низким напряжением насыщения. Выполнен в корпусе  TO-220. Основное применение в ключевых и усилительных схемах

 Технические характеристики  :

• Предельное напряжение между коллектором и эмиттером — 100 В;
• Максимальное напряжение между коллектором и базой — 100 В;
• Допустимое напряжение между эмиттером и базой — 5 В;
• Рассеиваемая мощность до 65 Вт;
•  Коэффициент усиления по току (hfe) от 1000;
• Максимальный ток коллектора — 8 А;
• Диапазон рабочих температур -65…+160 ⁰С, у кристалла до 150 ⁰С.