Рейтинг:
Артикул: нет

 TIP122. Транзистор n-p-n.

Количество: 110
Напряжение коллектор – эмиттер не более 100В. Напряжение коллектор – база не более 100 В. Напряжение эмиттер - база не более 5В. Ток коллектора не более 5А. Рассеиваемая мощность коллектора не более 65 Вт. Корпус TO-220.
С учётом
НДС
Тип корпуса
ТО-220
Все параметры
11.10
Количество: 110
Купить в 1 клик
Поделиться:

  TIP122 кремниевый, составной биполярный n-p-n транзистор, изготовленный по эпитаксиально-планарной технологии с применяем схемы Дарлингтона Имеет высокий коэффициент усиления в сочетании с очень низким напряжением насыщения. Выполнен в корпусе  TO-220. Основное применение в ключевых и усилительных схемах

 Технические характеристики  :

  • Предельное напряжение между коллектором и эмиттером — 100 В;
  • Максимальное напряжение между коллектором и базой — 100 В;
  • Допустимое напряжение между эмиттером и базой — 5 В;
  • Рассеиваемая мощность до 65 Вт;
  •  Коэффициент усиления по току (hfe) от 1000;
  • Максимальный ток коллектора — 8 А;
  • Диапазон рабочих температур -65…+160 0С, у кристалла до 150 0С.

 

Авторизуйтесь, чтобы оставить комментарий
Если Вы уже зарегистрированы на нашем сайте, но забыли пароль или Вам не пришло письмо подтверждения, воспользуйтесь формой восстановления пароля.